電晶體是什麼？ MOSFET的特性

宇量. Power MOSFET IC(以下簡稱為MOSFET)廣泛應用在各種電源電路與汽車等領域，雖然最近幾年MOSFET在高速切換(switching)與. 低ON阻抗化有相當的進展，不過一般認為 ...

2019年8月26日 — P-MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，它的显著特点是驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高；但是其电流容量小，耐压低，只用于小功率的电力 ...

Power MOSFET(功率型金屬氧化物半導體場效應晶體管)的工作原理，規格及性能均有異於雙極性的晶體管。事實上，Power MOSFET在性能上總體來講要優於雙極性的晶體管。 在 ...

SiC由於漂移層的電阻比Si元件低，不須使用傳導度調變，可用高速元件構造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻。 MOSFET由於在原理上不會產生尾電流，取代IGBT時，可實現開關 ...

功率MOSFET是專門處理大功率的電壓和電流的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），也是功率半導體（英語：power semiconductor device）的一種。和其他功率半導體（ ...

功率MOSFET是最常見的功率半導體（英语：power semiconductor device），原因是因為其閘極驅動需要的功率小、以及快速的切換速度、容易實施的並聯技術、高頻寬、堅固性、偏 ...

本文将介绍功率MOSFET 的结构、工作原理及基本工作电路。 什么是MOSFET. “MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写，译成中文是“金属氧化.

2023年9月25日 — 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特性和器件符号。双极结型晶体管（BJT) ...

功率MOSFET的種類：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗儘型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對於N（P）溝道器件，柵極電壓大於 ...

功率MOSFET的結構包含圖1所示的寄生容量。 利用氧化層在MOSFET的G (閘極)端子和其他電極之間形成絕緣，讓在DS (汲極．源極) ...